問題與回答
新的一年，芯塔電子會在不同維度發(fā)力。產(chǎn)品上，繼續(xù)堅持創(chuàng)新，正式推出第三代碳化硅MOSFET產(chǎn)品；不斷豐富完善產(chǎn)品線，包括高電壓平臺的碳化硅分立器件及功率模塊。
市場上，我們會進一步繼續(xù)推進新能源汽車、充電樁、光伏儲能、工業(yè)電源等領域的客戶，擴大市場份額，實現(xiàn)年銷售額在2023年基礎上翻3-5倍。
我們將通過工藝優(yōu)化、良率改進、質(zhì)量控制、可靠性提升等一系列措施，為客戶提供更高品質(zhì)、更優(yōu)性能、更具性價比的產(chǎn)品并開啟定制化服務。芯塔電子始終圍繞著客戶的需求，補全及優(yōu)化客戶端的產(chǎn)品布局，為客戶持續(xù)創(chuàng)造價值。
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碳化硅器件企業(yè)商業(yè)模式主要有Fabless和IDM。國內(nèi)SiC功率器件的廠商包括Fabless和Foundry大多有向IDM模式演進的趨勢。
但IDM模式也并非適用于任何企業(yè)。目前國內(nèi)很多碳化硅廠商體量并不大，尚未實現(xiàn)盈利，若是大規(guī)模建廠的話，運營成本太高，對現(xiàn)金流的考驗非常大，工藝開發(fā)的難度和客戶認可度也是問題。
如果能得到代工廠的支持，F(xiàn)abless廠商在設計方面確實更具靈活性，在碳化硅MOS方面的研發(fā)進程也較快，更適合具備高研發(fā)能力的創(chuàng)業(yè)團隊選擇布局。同時，代工廠的資質(zhì)也可以為其供應鏈可靠性背書。結(jié)合當前碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展階段和時間窗口等因素來看，國內(nèi)IDM和Foundry + Fabless兩種商業(yè)模式將會長期并存，而且各自滿足終端市場不同的應用場景。
對當前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展處于早中期階段的情況，能深度合作的Fabless + Foundry，如形成C-IDM的模式會更有優(yōu)勢。因此，有國產(chǎn)Foundry資源，同時又有核心設計和工藝能力，具備長期創(chuàng)新能力的技術團隊會有更大的競爭優(yōu)勢。
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適度競爭，對提高產(chǎn)品性價比、讓利客戶非常重要，但行業(yè)內(nèi)部一旦滑向惡性、單純價格戰(zhàn)的“內(nèi)卷”，不僅意味著企業(yè)發(fā)展空間受擠壓，還會造成行業(yè)發(fā)展要素的內(nèi)耗。這讓企業(yè)缺乏賴以支持研發(fā)投入的足夠利潤，讓產(chǎn)品技術創(chuàng)新嚴重滯后，甚至面臨生存艱難的窘境。
對于碳化硅企業(yè)來說，只有增強“內(nèi)力”，打磨好自己的產(chǎn)品，開展技術創(chuàng)新和采取差異化競爭策略，是當下避免產(chǎn)業(yè)“內(nèi)卷”的破解之法。同時，通過積極布局細分市場和領域，也能更快駛?cè)搿八{?！保乐惯^度的相互“搏殺”而分散沖刺產(chǎn)業(yè)發(fā)展的動能。
芯塔電子依靠團隊近二十年的技術及工藝積累，不斷修煉內(nèi)功，提升競爭力。經(jīng)過多年的發(fā)展，我們得到了越來越多客戶的認可和信賴，也適應市場的高速發(fā)展需求。
在目前競爭激烈的行業(yè)態(tài)勢下，芯塔電子對客戶終端應用的深刻理解，提前挖掘終端應用藍海市場，精準定義新產(chǎn)品，根據(jù)客戶的產(chǎn)品路線和需求完善自身產(chǎn)品線，積極開拓新應用市場，保持核心優(yōu)勢，為客戶持續(xù)賦能。
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在中大功率的應用中采用功率模塊的方案，可以進一步的提高產(chǎn)品的性能和功率密度。SiC目前除去新能源汽車主驅(qū)，在大部分應用中仍然是以單管為主，功率模塊的潛力是非常大的。不同于IGBT功率模塊，SiC功率模塊并沒有形成統(tǒng)一的標準。針對客戶的一些具體應用，SiC功率模塊在電路拓撲、封裝外形上面會有很大的變化。
更好的設計才能更好的發(fā)揮出SiC功率模塊的性能。目前傳統(tǒng)的IGBT模塊封裝廠，在工藝和設計上是不適合SiC功率模塊的，所以一些創(chuàng)新的、定制化的產(chǎn)品開發(fā)是必不可少的。芯塔電子布局專門的SiC功率模塊產(chǎn)線，這樣可以結(jié)合芯塔自身芯片開發(fā)出性能上更出色、能引領業(yè)界標準的功率模塊方案。
我們認為2024年將是SiC功率模塊爆發(fā)的元年，SiC功率模塊將在工業(yè)、光儲、充電樁、新能源汽車等市場開始大規(guī)模的應用和導入。
芯塔電子湖州SiC功率模塊線目前產(chǎn)線已經(jīng)通線，產(chǎn)品試產(chǎn)已經(jīng)開始。2024年3月份開始進入到量產(chǎn)爬坡階段
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芯塔電子1200V SiC MOSFET已經(jīng)通過權(quán)威第三方車規(guī)論證和高壓H3TRB，并且已經(jīng)在新能源車的DC/DC導入，計劃2024年底導入OBC。另外，我們已經(jīng)與頭部整車廠以及T1廠商達成了主驅(qū)碳化硅芯片定點開發(fā)的戰(zhàn)略合作協(xié)議，計劃2024年初推出主驅(qū)碳化硅芯片，2025年初量產(chǎn)主驅(qū)芯片。2024年是芯塔電子SiC產(chǎn)品在新能源汽車領域大放異彩的一年。我們將給客戶提供穩(wěn)定、可靠、優(yōu)質(zhì)的SiC功率器件及創(chuàng)新應用方案。
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芯塔電子自2022年初首款SiC MOSFET量產(chǎn)后，在不到兩年的時間里先后推出了650V/1200V/1700V三個電壓平臺18種不同型號的產(chǎn)品，并拓展了TO-263-7、DFN 8*8、Toll等具有更小尺寸、更低寄生干擾、優(yōu)異熱管理能力及高可靠性的的封裝外形。
產(chǎn)品具有出色的熱性能和電氣性能，對標國際主流廠商產(chǎn)品。2023年SiC MOSFET出貨量超過百萬只。
面對最炙手可熱的新能源汽車市場，目前只有極少數(shù)國內(nèi)廠商可提供高品質(zhì)、高可靠的SiC MOSFET產(chǎn)品。芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩ TO-263-7封裝 SiC MOSFET器件成功獲得全套AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證及高壓960V H3TRB（HV-H3TRB）可靠性考核，躋身為國內(nèi)少數(shù)SiC MOSFET產(chǎn)品通過雙重考核的廠商之一。
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在供應鏈方面，碳化硅設計公司面臨的兩大挑戰(zhàn)，一是襯底、外延等核心材料的供應保障，二是晶圓代工和封裝代工產(chǎn)能的保障。目前突顯的挑戰(zhàn)主要是晶圓代工產(chǎn)能。芯塔電子在供應鏈的資源綁定與布局稍有不同。
從襯底、外延原材料上看，目前國內(nèi)發(fā)展迅速，很多公司遍地崛起、競爭激烈，快速推動了產(chǎn)業(yè)的極大進步，成本的大幅降低。這個環(huán)節(jié)中的核心競爭力是單晶襯底。所以芯塔的布局是通過外延廠來鎖定襯底廠。我們在2024年已經(jīng)與兩家優(yōu)質(zhì)的襯底廠完成了長期戰(zhàn)略合作協(xié)議。目前國內(nèi)有量產(chǎn)能力的碳化硅晶圓代工廠其實并不是很多，芯塔電子與其中一家代工廠長久深度合作綁定，雙方共同扶持、共同成長。這種合作，不光在產(chǎn)品設計上對外有差異化，在工藝平臺的適配性上，也有形成了技術壁壘。面對未來的產(chǎn)業(yè)競爭態(tài)勢，芯塔電子進行了更多方向上的戰(zhàn)略布局，將充分發(fā)揮芯塔電子團隊在產(chǎn)線工藝平臺中的專業(yè)的技術能力。
封裝代工在國內(nèi)就很成熟了，這里面也有我們自身的Knowhow。相信在供應鏈伙伴們的大力支持下，芯塔電子可以充分發(fā)揮設計能力、工藝能力的專業(yè)性和靈活性，用以支持不斷提升的市場及客戶需求。同時作為碳化硅功率器件國產(chǎn)化倡導者及引領者，芯塔電子也將與合作伙伴一起密切協(xié)同，積極推動碳化硅材料和相關設備的國產(chǎn)化導入，為國內(nèi)碳化硅整體事業(yè)的快速發(fā)展貢獻一份力量。
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芯塔電子的產(chǎn)品定義由具有二十年電力電子終端研發(fā)的資深技術專家負責。產(chǎn)品定義以市場和客戶需求為導向，聯(lián)合客戶一起定義復雜的產(chǎn)品，著重挖掘藍海市場的新產(chǎn)品，為終端客戶最大程度地創(chuàng)造價值。
我們針對主驅(qū)逆變器、OBC、暖通空調(diào)、輔助電源等特定的應用場景，完善相關的產(chǎn)品線及配套應用方案，為某些細分領域開發(fā)的器件正向集成化和智能化發(fā)展，最大化的為終端客戶創(chuàng)造價值。
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